主流闪存芯片类型解析 NOR Vs NAND

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作者：Rowan    文章来源：本站原创    点击数：    更新时间：2007-7-31

编者按：这篇文章成文于2006年4月9日，发表在《电脑商情报》上。这期的“硬件学堂”被广告冲了版位。所以只能写一篇豆腐块的小品文章了。

主流闪存大比拼 NOR Vs NAND

我们大家都知道计算机在处理数据的时候需要使用缓存来存储一些临时性的计算结果。现在计算机中的内存是有易失性的，即断电关机之后内存中的数据就没有了。而NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失存储技术。即使断电它们内部的数据和资料也不会丢失，这就是我们经常说的闪存。

早在1988年Intel公司就发布了NOR闪存技术，紧接着在1989年东芝公司又发布了新型NAND结构的闪存，它相对于NOR闪存更强调存储性价比，强调存储的效能，可以向硬盘一样通过接口来轻松升级。那么他们有什么区别呢？

NOR的特点是可以在芯片内运行程序，系统不必将NOR存储区的内容装载到RAM中去运行。虽然NOR的运行效率较高但是它的读写效率与存储密度都不高。而NAND结构的闪存具有很高的存储密度，并且写入和擦写输入的速度很快。不过NAND更像是一块只能用来存储数据的硬盘。它不能直接运行程序，并且在对NAND进行操作的时候需要通过特殊的系统接口和驱动程序才能完成。在芯片寿命方面NAND闪存每个存储块最大能擦写100万次，而NOR的可擦写次数不到10万次。并且NAND存储块的体积要比NOR小8倍，NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。在数据的保存时间方面两者基本相同，都在10年左右。由于NAND的数据管理与硬盘类似，因此当存储块坏掉时就要涉及坏块管理问题。由于坏块是随即分布的，那么就需要进行坏块扫描，对坏块打上标记。一般最多可以允许出现80个坏块。在易用性方面NOR可以像其他存储设备那样连接，并且可以直接运行程序。然而NAND闪存就要复杂的多，不仅需要事先加载驱动程序更需要对坏块进行扫描。

现在的消费电子和移动掌上设备领域是NOR和NAND大展拳脚的好地方，其最重要的应用领域就是手机。随着现在移动通信从2G向3G过渡，消费者需要一部体积更小巧，存储空间更大的手机。有越来越多的生产商都开始看好存储密度更大速度更快的NAND闪存。不过由于设计开发成本的问题，还有不少生产商固守这NOR阵地。聪明点的开发商更选择了NOR＋NAND＋RAM的混合型存储策略。